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BSP125 E6433
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BSP125 E6433 数据手册 (8 页)
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BSP125 E6433 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
120 mA
封装
SOT-223-4
功耗
1.8W (Ta)
输入电容
150 pF
栅电荷
6.60 nC
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
120 mA
输入电容值(Ciss)
150pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
1.8W (Ta)

BSP125 E6433 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSP125 E6433 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.08 MByte

BSP125 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP125  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 V
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
600V,45000mΩ,0.12A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
600V,0.12A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP125 L6327  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, 1.9 V
Infineon(英飞凌)
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