￥ 5.172

BSP135 H6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-223-4

描述:

INFINEON BSP135 H6327 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSP135 H6327 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSP135 H6327 数据手册 (9 页)

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BSP135 H6327 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-223-4

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

25 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.8 W

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

上升时间

5.6 ns

输入电容值(Ciss)

98pF @25V(Vds)

下降时间

182 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1800 mW

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BSP135 H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSP135 H6327 符合标准

BSP135 H6327 海关信息

BSP135 H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

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