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BSP149 H6327
0.402
BSP149 H6327 数据手册 (9 页)
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BSP149 H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223-4
功耗
1.8 W
上升时间
3.4 ns
输入电容值(Ciss)
326pF @25V(Vds)
下降时间
21 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1800 mW

BSP149 H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSP149 H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.38 MByte

BSP149 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP149  晶体管, MOSFET, N沟道, 480 mA, 200 V, 3.5 ohm, 10 V, -1.4 V
Infineon(英飞凌)
BSP149 系列 200 V 3.5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号 晶体管-PG-SOT-223
Infineon(英飞凌)
N沟道 200V 660mA
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP149H6906XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 660 mA, 200 V, 1 ohm, 10 V, -1.4 V
Infineon(英飞凌)
200V,0.14A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP149 L6906  晶体管, MOSFET, N沟道, 660 mA, 200 V, 1 ohm, 10 V, -1.4 V
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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