￥ 0.464

BSP149H6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

BSP149 系列 200 V 3.5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号晶体管-PG-SOT-223

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSP149H6327XTSA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSP149H6327XTSA1 数据手册 (9 页)

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BSP149H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

额定功率

1.8 W

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

1 Ω

极性

N-CH

功耗

1.8 W

阈值电压

1.4 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

0.66A

上升时间

3.4 ns

输入电容值(Ciss)

430pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.8 W

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.8W (Ta)

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BSP149H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSP149H6327XTSA1 符合标准

BSP149H6327XTSA1 概述

BSP149H6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.38 MByte

BSP149H6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSP149H6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSP149H6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 0.88 MByte

BSP149H6327 数据手册

BSP149 H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 200V 660mA

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Infineon（英飞凌）

BSP149 系列 200 V 3.5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号晶体管-PG-SOT-223

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