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BSP170P H6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-223-4

描述:

场效应管(MOSFET) BSP170P H6327 SOT-223-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSP170P H6327 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSP170P H6327 数据手册 (9 页)

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BSP170P H6327 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-223-4

通道数

1 Channel

漏源极电阻

239 mΩ

功耗

1.8 W

阈值电压

4 V

上升时间

28 ns

输入电容值(Ciss)

328pF @25V(Vds)

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1800 mW

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BSP170P H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSP170P H6327 符合标准

BSP170P H6327 海关信息

BSP170P H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

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BSP170P H6327 其他数据使用手册

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