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KSP2222ABU
0.05
KSP2222ABU 数据手册 (6 页)
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KSP2222ABU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
250 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
600 mA
封装
TO-92-3
额定功率
500 mW
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
625 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数
300
额定功率(Max)
625 mW
直流电流增益(hFE)
35
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
0.625 W

KSP2222ABU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
4.58 mm
宽度
3.93 mm
高度
4.58 mm
工作温度
150℃ (TJ)

KSP2222ABU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.11 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.33 MByte

KSP2222 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
通用晶体管 General Purpose Transistor
Samsung(三星)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSP2222ATA  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 35 hFE
ON Semiconductor(安森美)
小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSP2222ATA , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:40, 3引脚 TO-92封装
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor KSP2222ATF , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:35, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
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