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BSP295 H6327
0.681
BSP295 H6327 数据手册 (8 页)
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BSP295 H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223-4
功耗
1.8 W
上升时间
9.9 ns
输入电容值(Ciss)
295pF @25V(Vds)
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1800 mW

BSP295 H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSP295 H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.43 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.46 MByte

BSP295 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP295  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 50 V, 0.22 ohm, 10 V, 1.1 V
Siemens Semiconductor(西门子)
BSP295 N沟道MOSFET 50V 7.2A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP295 高交叉调制性能/低反馈电/低噪声增益控制放大容
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP295H6327XTSA1, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Infineon(英飞凌)
SIPMOSï ????小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
60V,300mΩ,1.8A,N沟道小信号MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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