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BSP295L6327HTSA1
0.27
BSP295L6327HTSA1 数据手册 (8 页)
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BSP295L6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-223-4
极性
N-CH
功耗
1.8W (Ta)
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
1.8A
输入电容值(Ciss)
368pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
1.8W (Ta)

BSP295L6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSP295L6327HTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.43 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.69 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.16 MByte

BSP295L6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
SIPMOSï ????小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
60V,1.8A,N沟道功率MOSFET
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