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BSP318SE6327
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BSP318SE6327 数据手册 (9 页)
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BSP318SE6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
2.60 A
封装
SOT-223
输入电容
380 pF
栅电荷
20.0 nC
漏源极电压(Vds)
60.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.60 A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
300pF @25V(Vds)
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1800 mW

BSP318SE6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

BSP318SE6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.34 MByte

BSP318 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
60V,2.6A N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
60V,2.6A N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
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