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BSP318S H6327
0.218
BSP318S H6327 数据手册 (9 页)
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BSP318S H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223-4
通道数
1 Channel
漏源极电阻
70 mΩ
功耗
1.8 W
阈值电压
1.2 V
漏源击穿电压
60 V
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
300pF @25V(Vds)
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1800 mW

BSP318S H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSP318S H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.4 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.07 MByte

BSP318 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
60V,2.6A N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
60V,2.6A N沟道功率MOSFET
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