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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > BSP373N H6327 Datasheet 文档
BSP373N H6327
0.181
BSP373N H6327 数据手册 (9 页)
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BSP373N H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223-4
通道数
1 Channel
漏源极电阻
177 mΩ
功耗
1.8 W
阈值电压
2.1 V
漏源击穿电压
100 V
上升时间
5.9 ns
输入电容值(Ciss)
199pF @25V(Vds)
下降时间
13.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1800 mW

BSP373N H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSP373N H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.55 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.34 MByte

BSP373 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP373  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP373NH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 0.177 ohm, 10 V, 3 V 新
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
100V,1.7A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
100V,240mΩ,1.8A,N沟道小信号MOSFET
Infineon(英飞凌)
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