BSP51,115

￥ 0.427

BSP51,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-261-4

描述:

NXP BSP51,115 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSP51,115 数据手册 (7 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在5 页

BSP51,115 数据手册 (7 页)

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BSP51,115 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-261-4

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

1.25 W

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

集电极最大允许电流

1A

最小电流放大倍数

2000 @500mA, 10V

额定功率(Max)

1.25 W

直流电流增益(hFE)

2000

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

增益带宽

200 MHz

耗散功率(Max)

1250 mW

查看数据手册 >

BSP51,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.7 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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BSP51,115 符合标准

BSP51,115 海关信息

BSP51,115 数据手册

BSP51,115 数据手册

NXP（恩智浦）

7 页 / 0.11 MByte

BSP51,115 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

206 页 / 0.21 MByte

BSP51,115 产品修订记录

NXP（恩智浦）

72 页 / 3.63 MByte

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