￥ 1.719

IPT007N06N 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-HSOF-8

描述:

INFINEON IPT007N06N 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 60 V, 0.00066 ohm, 10 V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPT007N06N 数据手册 (12 页)

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IPT007N06N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-HSOF-8

针脚数

8 Position

极性

N-Channel

功耗

375 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

300A

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

16000pF @30V(Vds)

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375 W

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IPT007N06N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.58 mm

宽度

10.1 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPT007N06N 符合标准

IPT007N06N 海关信息

IPT007N06N 概述

IPT007N06N 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 1.2 MByte

IPT007N06N 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPT007N06N 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

100 页 / 0.64 MByte

IPT007N06N 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPT007N06N 产品描述及参数

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.16 MByte

IPT007N06N 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

4 页 / 0.68 MByte

IPT007N06 数据手册

IPT007N06NATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPT007N06NATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 60 V, 0.00066 ohm, 10 V, 2.8 V

IPT007N06N 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPT007N06N 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 60 V, 0.00066 ohm, 10 V, 2.8 V

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