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BSP62E6327
0.531
BSP62E6327 数据手册 (7 页)
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BSP62E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-1.00 A
封装
SOT-223
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
1A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
增益带宽
200 MHz
耗散功率(Max)
1500 mW

BSP62E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

BSP62E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.53 MByte

BSP62 数据手册

Infineon(英飞凌)
PNP硅达林顿晶体管 PNP Silicon Darlington Transistor
NXP(恩智浦)
NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
Nexperia(安世)
复合晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Philips(飞利浦)
Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
Motorola(摩托罗拉)
Yageo(国巨)
ON Semiconductor(安森美)
Siemens Semiconductor(西门子)
Nexperia(安世)
Nexperia BSP62,115 PNP 达林顿晶体管对, -1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
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