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BSR315P L6327
0.111
BSR315P L6327 数据手册 (9 页)
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BSR315P L6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SC-59
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.62 Ω
极性
P-Channel
功耗
500 mW
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
28 ns
输入电容值(Ciss)
176pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
500 mW
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BSR315P L6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

BSR315P L6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.41 MByte

BSR315 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSR315PH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -620 mA, -60 V, 0.62 ohm, -10 V, -1.5 V 新
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSR315P L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -620 mA, -60 V, 0.62 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSR315PL6327HTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -620 mA, -60 V, 0.62 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
60V,800mΩ,-0.62A,P沟道小信号MOSFET
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