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BSR315PL6327HTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

INFINEON BSR315PL6327HTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -620 mA, -60 V, 0.62 ohm, -10 V, -1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSR315PL6327HTSA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSR315PL6327HTSA1 数据手册 (9 页)

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BSR315PL6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.62 Ω

极性

P-Channel

功耗

500 mW

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

0.62A

上升时间

28 ns

输入电容值(Ciss)

176pF @25V(Vds)

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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BSR315PL6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Discontinued at Digi-Key

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSR315PL6327HTSA1 符合标准

BSR315PL6327HTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.42 MByte

BSR315PL6327HTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.16 MByte

BSR315PL6327 数据手册

BSR315P L6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSR315P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -620 mA, -60 V, 0.62 ohm, -10 V, -1.5 V

BSR315PL6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

BSR315PL6327HTSA1 数据手册

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