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BSR316PH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

INFINEON BSR316PH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -360 mA, -100 V, 1.3 ohm, -10 V, -1.5 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSR316PH6327XTSA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

BSR316PH6327XTSA1 数据手册 (9 页)

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BSR316PH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.3 Ω

极性

P-Channel

功耗

500 mW

阈值电压

1.5 V

输入电容

124 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

0.36A

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

165pF @25V(Vds)

下降时间

26 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Tc)

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BSR316PH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.6 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSR316PH6327XTSA1 符合标准

BSR316PH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.47 MByte

BSR316PH6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSR316PH6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSR316PH6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSR316PH6327 数据手册

BSR316P H6327 数据手册

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BSR316PH6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

100V,1800mΩ,-0.36A,P沟道小信号MOSFET

BSR316PH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSR316PH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -360 mA, -100 V, 1.3 ohm, -10 V, -1.5 V 新

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