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BSS123LT1G
0.039
BSS123LT1G 数据手册 (5 页)
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BSS123LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
170 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
0.225 W
无卤素状态
Halogen Free
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
6 Ω
极性
N-Channel
功耗
225 mW
阈值电压
800 mV
输入电容
20pF @25V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
170 mA
正向电压(Max)
1.3 V
输入电容值(Ciss)
20pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
225 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
225mW (Ta)

BSS123LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSS123LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.6 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

BSS123LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
小信号N沟道SOT23封装场效应管
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 170毫安, 100伏 Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts
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