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BSS123 数据手册

型号系列:

BSS123 系列

分类:

MOS管

描述:

BSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 SA 快速开关/逻辑电平兼容

文档:

BSS123 数据手册 (21 页)

更新于: 2023/01/13 01:23:14 (UTC + 8)

BSS123 MOS管数据手册

#1

BSS123

数据手册 (21 页)

6.6

ON Semiconductor（安森美）

#2

BSS123

数据手册 (21 页)

5.5

Fairchild（飞兆/仙童）

#3

BSS123NH6327XTSA1

BSS123NH6327XTSA1

数据手册 (10 页)

4.2

Infineon（英飞凌）

#4

BSS123NH6433XTMA1

BSS123NH6433XTMA1

数据手册 (10 页)

2.3

Infineon（英飞凌）

BSS123 数据手册 MOS管

9 页

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123L 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 2.98 ohm, 10 V, 1.405 V 新

9 页

Infineon（英飞凌）

8 页

ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 2.98 ohm, 10 V, 1.405 V

8 页

Infineon（英飞凌）

BSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 SA 快速开关/逻辑电平兼容

8 页

NXP（恩智浦）

N 通道 MOSFET，高达 0.9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors

8 页

Siemens Semiconductor（西门子）

8 页

Diodes（美台）

7 页

Infineon（英飞凌）

6 页

ON Semiconductor（安森美）

N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

6 页

Diodes（美台）

三极管

6 页

ON Semiconductor（安森美）

小信号N沟道SOT23封装场效应管

5 页

Nexperia（安世）

Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS123,215, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装

5 页

NXP（恩智浦）

NXP BSS123,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 100 V, 3.5 ohm, 10 V, 2 V

5 页

Micro Commercial Components（美微科）

4 页

Diodes（美台）

BSS123W-7-F 编带

4 页

Diodes（美台）

DIODES INC. BSS123TA 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.2 V

更多 BSS123 数据手册 >

BSS123 - ON Semiconductor（安森美）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.2 Ω

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BSS123 - ON Semiconductor（安森美）概述

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 100V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 100V 最大漏极电流Id Drain Current| 170mA/0.17A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 3.4Ω/Ohm @1.7A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor BSS100: 0.22A, 100V. RDS(ON)= 6W @ VGS = 10V. BSS123: 0.17A, 100V. RDS(ON)= 6W @ VGS = 10V High density cell design for extremely low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable. 描述与应用| N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 BSS100：0.22A，100V。RDS（ON）=6W@ VGS= 10V。 BSS123：0.17A，100V。 RDS（ON）=6W@ VGS= 10V 高密度电池设计极低的RDS（ON）电压控制小信号开关。坚固,可靠

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