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BSS123-TP
0.042
BSS123-TP 数据手册 (5 页)
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BSS123-TP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
漏源极电压(Vds)
100 V
输入电容值(Ciss)
60pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
350 mW

BSS123-TP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS123-TP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
5 页 / 0.57 MByte

BSS123 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
BSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 SA 快速开关/逻辑电平兼容
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS123  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
NXP(恩智浦)
N 通道 MOSFET,高达 0.9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
Infineon(英飞凌)
BSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 SA 快速开关/逻辑电平兼容
SLKOR(韩国萨科微)
SOT-23 P=250mW N沟道 Ciss=14pF
Siemens Semiconductor(西门子)
Leshan Radio(乐山无线电)
National Semiconductor(美国国家半导体)
Freescale(飞思卡尔)
Nexperia(安世)
N 通道 MOSFET,100V 及更高,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
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