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BSS126H6327XTSA1
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BSS126H6327XTSA1 数据手册 (3 页)
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BSS126H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
功耗
500mW (Ta)
漏源极电压(Vds)
600 V
输入电容值(Ciss)
28pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
500mW (Ta)

BSS126H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS126H6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.1 MByte

BSS126H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS126 H6327  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V
Infineon(英飞凌)
600V,0.007A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS126H6327XTSA2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V
Infineon(英飞凌)
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