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BSS127 E6327
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BSS127 E6327 数据手册 (6 页)
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BSS127 E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
600 V
额定电流
23.0 mA
封装
SOT-23-3
功耗
500mW (Ta)
输入电容
28.0 pF
栅电荷
2.10 nC
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
23.0 mA
输入电容值(Ciss)
28pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
500 mW
耗散功率(Max)
500mW (Ta)

BSS127 E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS127 E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.08 MByte

BSS127 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
UTC(友顺)
0.021A,600V的小信号晶体管
Vishay Semiconductor(威世)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS127H6327XTSA2  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.021A, SOT-23-3
Diodes(美台)
BSS127S-7 编带
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS127 H6327  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.021A, SOT-23-3
Diodes(美台)
N沟道 70mA 600V
Infineon(英飞凌)
600V,0.023A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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