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BSS127 L6327
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BSS127 L6327 数据手册 (9 页)
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BSS127 L6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
500 Ω
功耗
500 mW
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
上升时间
9.7 ns
输入电容值(Ciss)
28pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
500 mW
下降时间
9.7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

BSS127 L6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.1 mm

BSS127 L6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.24 MByte

BSS127 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
UTC(友顺)
0.021A,600V的小信号晶体管
Vishay Semiconductor(威世)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS127H6327XTSA2  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.021A, SOT-23-3
Diodes(美台)
BSS127S-7 编带
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS127 H6327  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.021A, SOT-23-3
Diodes(美台)
N沟道 70mA 600V
Infineon(英飞凌)
600V,0.023A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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