Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Diodes(美台) > BSS127S-7 Datasheet 文档
BSS127S-7
0.04
BSS127S-7 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BSS127S-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
80 Ω
极性
N-CH
功耗
1.25 W
阈值电压
4.5 V
输入电容
21.8 pF
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
0.07A
上升时间
7.2 ns
正向电压(Max)
1.5 V
输入电容值(Ciss)
21.8pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
610 mW
下降时间
168 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
610mW (Ta)

BSS127S-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS127S-7 数据手册

Diodes(美台)
6 页 / 0.3 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
6 页 / 0.35 MByte

BSS127 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
UTC(友顺)
0.021A,600V的小信号晶体管
Vishay Semiconductor(威世)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS127H6327XTSA2  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.021A, SOT-23-3
Diodes(美台)
BSS127S-7 编带
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS127 H6327  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.021A, SOT-23-3
Diodes(美台)
N沟道 70mA 600V
Infineon(英飞凌)
600V,0.023A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: BSS127 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z