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BSS138WH6327XTSA1
0.03
BSS138WH6327XTSA1 数据手册 (9 页)
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BSS138WH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323-3
额定功率
0.5 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
3.5 Ω
极性
N-CH
功耗
500 mW
阈值电压
1.4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
0.28A
上升时间
3 ns
输入电容值(Ciss)
32pF @25V(Vds)
下降时间
8.2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500mW (Ta)

BSS138WH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS138WH6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.34 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.1 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BSS138WH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) BSS138W H6327 PG-SOT323-3
Infineon(英飞凌)
60V,0.28A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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