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BSS139H6327
0.146
BSS139H6327 数据手册 (9 页)
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BSS139H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
7.8 Ω
功耗
360 mW
阈值电压
1.4 V
漏源极电压(Vds)
250 V
工作温度(Max)
150 ℃

BSS139H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

BSS139H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.7 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.23 MByte

BSS139 数据手册

Infineon(英飞凌)
BSS139 N沟道MOSFET 350V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 ST 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS139H6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 250 V, 7.8 ohm, 10 V, 1.4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS139 H6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 mA, 250 V, 30 ohm, 10 V, -1.4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS139H6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 250 V, 7.8 ohm, 10 V, 1.4 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 250V 100A
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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