输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 94W (Tc)
●表面贴装型 N 通道 150 V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 150V ， RDS（ON） = 0.07ohm ，ID = 27A ） Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3315PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 70 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3315SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 82 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3315PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 27A, TO-220AB 新
International Rectifier（国际整流器）
N沟道 150V 21A
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