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IRF3315STRRPBF
1.244
IRF3315STRRPBF 数据手册 (11 页)
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IRF3315STRRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252-3
额定功率
94 W
通道数
1 Channel
极性
N-CH
功耗
3.8W (Ta), 94W (Tc)
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
150 V
连续漏极电流(Ids)
21A
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 94W (Tc)

IRF3315STRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
9.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF3315STRRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.37 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.14 MByte

IRF3315 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 150V , RDS(ON) = 0.07ohm ,ID = 27A ) Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A)
New Jersey Semiconductor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3315PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 70 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3315SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 82 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3315PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 27A, TO-220AB 新
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 150V 21A
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