￥ 0.083

BSS169H6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSS169H6327XTSA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSS169H6327XTSA1 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BSS169H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

额定功率

0.36 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

12 Ω

极性

N-CH

功耗

360 mW

阈值电压

2.9 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

0.17A

上升时间

2.7 ns

输入电容值(Ciss)

68pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

360 mW

下降时间

27 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

360 mW

查看数据手册 >

BSS169H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BSS169H6327XTSA1 符合标准

BSS169H6327XTSA1 概述

BSS169H6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.48 MByte

BSS169H6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSS169H6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSS169H6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 0.88 MByte

BSS169H6327XTSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

BSS169H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

100V,0.09A,N沟道功率MOSFET

BSS169 H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) BSS169 H6327 PG-SOT-23-3

BSS169H6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V

BSS169H6327XT 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号