￥ 0.049

BSS223PWH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

描述:

Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。增强型模式雪崩等级低切换和传导功率损耗无铅引线电镀；符合 RoHS 标准标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSS223PWH6327XTSA1 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BSS223PWH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-323-3

额定功率

0.25 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.7 Ω

极性

P-Channel

功耗

250 mW

阈值电压

600 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.39A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

56pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

250 mW

下降时间

3.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250 mW

查看数据手册 >

BSS223PWH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BSS223PWH6327XTSA1 符合标准

BSS223PWH6327XTSA1 概述