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FDY302NZ 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-89

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDY302NZ, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523 (SC-89)封装

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3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDY302NZ 数据手册 (6 页)

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FDY302NZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-89

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.24 Ω

功耗

0.625 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

60pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

446 mW

下降时间

2.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

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FDY302NZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.7 mm

宽度

0.98 mm

高度

0.78 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDY302NZ 符合标准

FDY302NZ 概述

FDY302NZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.22 MByte

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ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDY302NZ, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523 (SC-89)封装

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