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BSS308PEH6327XT
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BSS308PEH6327XT 数据手册 (9 页)
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BSS308PEH6327XT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
2A

BSS308PEH6327XT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

BSS308PEH6327XT 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.25 MByte

BSS308PEH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS308PE H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
30V,80mΩ,-2A P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS308PEH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
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