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BSS83P
0.249
BSS83P 数据手册 (10 页)
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BSS83P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
360 mW

BSS83P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm

BSS83P 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.46 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.09 MByte

BSS83 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  BSS83  晶体管, MOSFET, 开关, N沟道, 50 mA, 10 V, 45 ohm, 10 V, 2 V
Philips(飞利浦)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS83PH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
60V,-0.33A,P沟道功率MOSFET
NXP(恩智浦)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS83P H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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