￥ 1.067

STP150N10F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

100V,0.0036Ohm,110A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STP150N10F7 数据手册 (15 页)

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STP150N10F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0036 Ω

极性

N-CH

功耗

250 W

阈值电压

4.5 V

输入电容

8115 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

90A

上升时间

57 ns

输入电容值(Ciss)

8115pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

250 W

下降时间

33 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

STP150N10F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP150N10F7 符合标准

STP150N10F7 数据手册

STP150N10F7 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

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100V,0.0036Ohm,110A,N沟道功率MOSFET

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