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BSS87E6327
0.388
BSS87E6327 数据手册 (8 页)
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BSS87E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
240 V
额定电流
290 mA
封装
SOT-89-4
功耗
1W (Ta)
漏源极电压(Vds)
240 V
连续漏极电流(Ids)
290 mA
上升时间
3.5 ns
输入电容值(Ciss)
97pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
27.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1W (Ta)

BSS87E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS87E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.42 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.15 MByte

BSS87 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Siemens Semiconductor(西门子)
NXP(恩智浦)
N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Nexperia(安世)
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
N 通道 MOSFET,高达 0.9A,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS87H6327FTSA1, 260 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
NXP(恩智浦)
N 通道 MOSFET,高达 0.9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
Infineon(英飞凌)
Nexperia(安世)
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