BST82,215

￥ 0.059

BST82,215 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

Nexperia Si N沟道 MOSFET BST82,215, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BST82,215 数据手册 (5 页)

封装尺寸在4 页

BST82,215 数据手册 (5 页)

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BST82,215 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

5 Ω

功耗

830 mW

阈值电压

2 V

输入电容

25 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

输入电容值(Ciss)

40pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

830 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

830 mW

查看数据手册 >

BST82,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.4 mm

高度

1 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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BST82,215 符合标准

BST82,215 概述

BST82,215 数据手册

BST82,215 数据手册

Nexperia（安世）

5 页 / 0.17 MByte

BST82,215 其他数据使用手册

Nexperia（安世）

206 页 / 0.21 MByte

BST82,215 产品修订记录

Nexperia（安世）

72 页 / 3.63 MByte

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