BSZ0902NS

￥ 0.381

BSZ0902NS 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TSDSON-8-FL

描述:

INFINEON BSZ0902NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSZ0902NS 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSZ0902NS 数据手册 (9 页)

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BSZ0902NS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TSDSON-8-FL

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0022 Ω

极性

N-Channel

功耗

48 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

19A

上升时间

5.2 nS

输入电容值(Ciss)

1700pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.1 W

下降时间

3.6 nS

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.1W (Ta), 48W (Tc)

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BSZ0902NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.3 mm

宽度

3.4 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSZ0902NS 符合标准

BSZ0902NS 概述

BSZ0902NS 数据手册

BSZ0902NS 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.68 MByte

BSZ0902NS 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSZ0902NS 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSZ0902NS 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSZ0902 数据手册

BSZ0902NSATMA1 数据手册

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INFINEON BSZ0902NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2 V

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BSZ0902NS 数据手册

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INFINEON BSZ0902NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2 V

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