￥ 0.585

STD13N60DM2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N-沟道 600 V 0.365 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD13N60DM2 数据手册 (17 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页 12 页 13 页 14 页

STD13N60DM2 数据手册 (17 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STD13N60DM2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

310 mΩ

功耗

110 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

上升时间

4.8 ns

输入电容值(Ciss)

730pF @100V(Vds)

下降时间

10.6 ns

下降时间(Max)

10.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

查看数据手册 >

STD13N60DM2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STD13N60DM2 符合标准

STD13N60DM2 海关信息

STD13N60DM2 概述

STD13N60DM2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.64 MByte

STD13N60DM2 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 4.35 MByte

STD13N60DM2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.38 MByte

STD13N60DM2 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.75 MByte

STD13N60DM2 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

27 页 / 0.85 MByte

STD13N60DM2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.79 MByte

STD13N60 数据手册

STD13N60M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STD13N60DM2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N-沟道 600 V 0.365 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号