￥ 0.089

BU406 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BU406 数据手册 (3 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BU406 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

10 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

7.00 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

60 W

增益频宽积

6 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

200 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

额定功率(Max)

60 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

60000 mW

查看数据手册 >

BU406 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.28 mm

宽度

4.82 mm

高度

9.28 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

查看数据手册 >

BU406 符合标准

BU406 概述

BU406 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.06 MByte

BU406 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

31 页 / 0.08 MByte

BU406 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.09 MByte

BU406 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.14 MByte

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号