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BUL1102EFP
1.092
BUL1102EFP 数据手册 (13 页)
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BUL1102EFP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
30 W
击穿电压(集电极-发射极)
450 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
12 @2A, 5V
额定功率(Max)
30 W
直流电流增益(hFE)
20
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
70000 mW

BUL1102EFP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
150℃ (TJ)

BUL1102EFP 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte

BUL1102 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BUL1102EFP  单晶体管 双极, NPN, 450 V, 30 W, 4 A, 20 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BUL1102E  单晶体管 双极, NPN, 450 V, 70 W, 2 A, 35 hFE
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