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器件3D模型
¥ 1.092
BUL1102EFP 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
双极性晶体管
封装:
TO-220-3
描述:
STMICROELECTRONICS BUL1102EFP 单晶体管 双极, NPN, 450 V, 30 W, 4 A, 20 hFE
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
BUL1102EFP 数据手册 (13 页)
封装尺寸
在
7 页
8 页
9 页
10 页
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BUL1102EFP 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
30 W
击穿电压(集电极-发射极)
450 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
12 @2A, 5V
额定功率(Max)
30 W
直流电流增益(hFE)
20
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
70000 mW
查看数据手册 >
BUL1102EFP 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
150℃ (TJ)
查看数据手册 >
BUL1102EFP 符合标准
BUL1102EFP 海关信息
BUL1102EFP 数据手册
BUL1102EFP
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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BUL1102 数据手册
BUL1102
EFP
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS BUL1102EFP 单晶体管 双极, NPN, 450 V, 30 W, 4 A, 20 hFE
BUL1102
E
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS BUL1102E 单晶体管 双极, NPN, 450 V, 70 W, 2 A, 35 hFE
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