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BUZ31L H 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON BUZ31L H 晶体管, MOSFET, N沟道, 13.5 A, 200 V, 0.16 ohm, 5 V, 1.6 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BUZ31L H 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

BUZ31L H 数据手册 (10 页)

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BUZ31L H 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.16 Ω

极性

N-Channel

功耗

95 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

200 V

上升时间

80 nS

输入电容值(Ciss)

1600pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

95 W

下降时间

65 nS

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

95W (Tc)

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BUZ31L H 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

长度

10.36 mm

宽度

4.57 mm

高度

9.45 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BUZ31L H 符合标准

BUZ31L H 概述

BUZ31L H 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.41 MByte

BUZ31L H 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

BUZ31L H 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 0.72 MByte

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