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BSV52LT1
0.04
BSV52LT1 数据手册 (3 页)
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BSV52LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
12.0 V
额定电流
200 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
40 @10mA, 1V
额定功率(Max)
225 mW

BSV52LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSV52LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte

BSV52 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSV52..  射频双极晶体管
NXP(恩智浦)
NXP  BSV52  单晶体管 双极, 开关, NPN, 12 V, 500 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFE
ON Semiconductor(安森美)
小信号 NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Philips(飞利浦)
ST Microelectronics(意法半导体)
BSV52 NPN三极管 20V 200mA/0.2A 400MHz 40~120 400mV/0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 B2 开关晶体管
Nexperia(安世)
小信号 NPN 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Diotec Semiconductor
Diodes(美台)
Motorola(摩托罗拉)
Freescale(飞思卡尔)
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