￥ 0

BUZ31LHXKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

INFINEON BUZ31LHXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 13.5 A, 200 V, 0.16 ohm, 5 V, 1.6 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BUZ31LHXKSA1 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

BUZ31LHXKSA1 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BUZ31LHXKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.16 Ω

极性

N-Channel

功耗

95 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

13.5A

上升时间

80 ns

输入电容值(Ciss)

1200pF @25V(Vds)

下降时间

65 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

95000 mW

查看数据手册 >

BUZ31LHXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

查看数据手册 >

BUZ31LHXKSA1 符合标准

BUZ31LHXKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.41 MByte

BUZ31 数据手册

Infineon（英飞凌）

SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

BUZ31 数据手册

Siemens Semiconductor（西门子）

BUZ31H3046XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

BUZ31 H3045A 数据手册

Infineon（英飞凌）

BUZ31L 数据手册

Infineon（英飞凌）

SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

BUZ31L H 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BUZ31L H 晶体管, MOSFET, N沟道, 13.5 A, 200 V, 0.16 ohm, 5 V, 1.6 V

Infineon（英飞凌）

Infineon（英飞凌）

Infineon（英飞凌）

Siemens Semiconductor（西门子）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号