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￥ 7.261
BUZ32 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
页面导航:
电气规格在P2P3P4
导航目录
BUZ32数据手册
Page:
of 10 Go
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BUZ 32
Rev. 2.3 Page 6 2009-04
-08
Typ. output characteristics
I
D
=
ƒ(
V
DS
)
parameter:
t
p
= 80 µs
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
DS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
A
22
I
D
V
GS
[V]
a
a 4.0
b
b 4.5
c
c 5.0
d
d 5.5
e
e 6.0
f
f 6.5
g
g 7.0
h
h 7.5
i
i 8.0
j
j 9.0
k
k 10.0
l
P
tot
= 75W
l 20.0
Typ. drain-source on-resistance
R
DS (on)
=
ƒ(
I
D
)
parameter:
V
GS
0
4
8
12
16
A
22
I
D
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
Ω
1.3
R
DS (on)
V
GS
[V] =
a
4.0
V
GS
[V] =
a
a
4.5
b
b
5.0
c
c
5.5
d
d
6.0
e
e
6.5
f
f
7.0
g
g
7.5
h
h
8.0
i
i
9.0
j
j
10.0
k
k
20.0
Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
)
parameter:
t
p
= 80 µs
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
10
V
GS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
13
I
D
Typ. forward transconductance
g
fs
=
f
(
I
D
)
parameter:
t
p
= 80 µs,
V
DS
≥
2 x
I
D
x R
DS(on)max
0
2
4
6
8
A
12
I
D
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
S
6.0
g
fs
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