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BZX84C51LT1 数据手册 - Leshan Radio（乐山无线电）
制造商:
Leshan Radio（乐山无线电）
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BZX84C51LT1数据手册
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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
J2–1/5
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
BZX84C2V4LT1
SERIES
225mW
SOT-23
1
3
2
CASE 318–07, STYLE8
SOT– 23 (TO–236AB)
PLASTIC
3
Cathode
1
Anode
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Max Unit
Total Device Dissipation FR-5 Board* P
D
225 mW
T
A
= 25°C
Derate above 25°C 1.8 mW/°C
Thermal Resistance Junction to Ambient R
QJA
556 °C/W
Total Device Dissipation P
D
300 mW
Alumina Substrate,** T
A
= 25°C
Derate above 25°C 2.4 mW/°C
Thermal Resistance Junction to Ambient R
QJA
417 °C/W
Junction and Storage Temeprature T
J
, T
stg
150 °C
**FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.
**Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
225 mW SOT-23
Zener Voltage Regulator Diodes
GENERAL DATA APPLICABLE TO ALL
SERIES IN THIS GROUP
Zener Voltage
Regulator Diodes
MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING
PURPOSES: 260°C for 10 seconds
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