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Datasheet 搜索 > ST Microelectronics（意法半导体） > BZX84-C56 数据手册 > BZX84-C56 数据手册 3/6 页
BZX84-C56
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BZX84-C56 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
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标记信息在P1P3
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电气规格在P1P2P3
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BZX84-C56数据手册
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BZX84CxxxET1G Series, SZBZX84CxxxET1G Series
www.onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Pinout: 1-Anode, 2-No Connection, 3-Cathode) (T
A
= 25°C unless otherwise noted, V
F
= 0.90 V Max. @ I
F
= 10 mA)
Device*
Device
M
arkin
g
V
Z1
(V)
@I
ZT1
=5mA
(Note 4)
Z
ZT1
(W)
@ I
ZT1
=
5 mA
V
Z2
(V)
@I
ZT2
=1
mA
(Note 4)
Z
ZT2
(W)
@ I
ZT2
=
1 mA
V
Z3
(V)
@I
ZT3
=20 mA
(Note 4)
Z
ZT3
(W)
@
I
ZT3
=
20 mA
Max
Reverse
Leakage
Current
q
VZ
(mV/k)
@ I
ZT1
=5 mA
C (pF)
@
V
R
= 0
f =
1 MHz
Min Nom Max Min Max Min Max
V
R
(V)
I
R
mA
@
Min Max
BZX84C2V4ET1G BA1 2.2 2.4 2.6 100 1.7 2.1 600 2.6 3.2 50 50 1.0 −3.5 0 450
BZX84C2V7ET1G BA2 2.5 2.7 2.9 100 1.9 2.4 600 3.0 3.6 50 20 1.0 −3.5 0 450
BZX84C3V0ET1G BA3 2.8 3.0 3.2 95 2.1 2.7 600 3.3 3.9 50 10 1.0 −3.5 0 450
BZX84C3V3ET1G BA4 3.1 3.3 3.5 95 2.3 2.9 600 3.6 4.2 40 5.0 1.0 −3.5 0 450
BZX84C3V6ET1G BA5 3.4 3.6 3.8 90 2.7 3.3 600 3.9 4.5 40 5.0 1.0 −3.5 0 450
BZX84C3V9ET1G BA6 3.7 3.9 4.1 90 2.9 3.5 600 4.1 4.7 30 3.0 1.0 −3.5 −2.5 450
BZX84C4V3ET1G BA7 4.0 4.3 4.6 90 3.3 4.0 600 4.4 5.1 30 3.0 1.0 −3.5 0 450
BZX84C4V7ET1G BA9 4.4 4.7 5.0 80 3.7 4.7 500 4.5 5.4 15 3.0 2.0 −3.5 0.2 260
BZX84C5V1ET1G BB1 4.8 5.1 5.4 60 4.2 5.3 480 5.0 5.9 15 2.0 2.0 −2.7 1.2 225
BZX84C5V6ET1G BB2 5.2 5.6 6.0 40 4.8 6.0 400 5.2 6.3 10 1.0 2.0 −2 2.5 200
BZX84C6V2ET1G BB3 5.8 6.2 6.6 10 5.6 6.6 150 5.8 6.8 6 3.0 4.0 0.4 3.7 185
BZX84C6V8ET1G BB4 6.4 6.8 7.2 15 6.3 7.2 80 6.4 7.4 6 2.0 4.0 1.2 4.5 155
BZX84C7V5ET1G BB5 7.0 7.5 7.9 15 6.9 7.9 80 7.0 8.0 6 1.0 5.0 2.5 5.3 140
BZX84C8V2ET1G BB6 7.7 8.2 8.7 15 7.6 8.7 80 7.7 8.8 6 0.7 5.0 3.2 6.2 135
BZX84C9V1ET1G BB7 8.5 9.1 9.6 15 8.4 9.6 100 8.5 9.7 8 0.5 6.0 3.8 7.0 130
BZX84C10ET1G BB8 9.4 10 10.6 20 9.3 10.6 150 9.4 10.7 10 0.2 7.0 4.5 8.0 130
BZX84C11ET1G BB9 10.4 11 11.6 20 10.2 11.6 150 10.4 11.8 10 0.1 8.0 5.4 9.0 130
BZX84C12ET1G BC1 11.4 12 12.7 25 11.2 12.7 150 11.4 12.9 10 0.1 8.0 6.0 10 130
BZX84C13ET1G BC2 12.4 13 14.1 30 12.3 14 170 12.5 14.2 15 0.1 8.0 7.0 11 120
BZX84C15ET1G BC3 13.8 15 15.6 30 13.7 15.5 200 13.9 15.7 20 0.05 10.5 9.2 13 110
BZX84C16ET1G BC4 15.3 16 17.1 40 15.2 17 200 15.4 17.2 20 0.05 11.2 10.4 14 105
BZX84C18ET1G BC5 16.8 18 19.1 45 16.7 19 225 16.9 19.2 20 0.05 12.6 12.4 16 100
BZX84C20ET1G BC6 18.8 20 21.2 55 18.7 21.1 225 18.9 21.4 20 0.05 14 14.4 18 85
BZX84C22ET1G BC7 20.8 22 23.3 55 20.7 23.2 250 20.9 23.4 25 0.05 15.4 16.4 20 85
BZX84C24ET1G BC8 22.8 24 25.6 70 22.7 25.5 250 22.9 25.7 25 0.05 16.8 18.4 22 80
Device*
Device
M
arkin
g
V
Z1
Below
@I
ZT1
=2mA
Z
ZT1
Below
@ I
ZT1
=
2 mA
V
Z2
Below
@I
ZT2
=
0.1 mA
Z
ZT2
Below
@ I
ZT4
=
0.5 mA
V
Z3
Below
@I
ZT3
=10mA
Z
ZT3
Below
@ I
ZT3
=
10 mA
Max
Reverse
Leakage
Current
q
VZ
(mV/k)
Below
@ I
ZT1
= 2
mA
C (pF)
@ V
R
= 0
f =
1 MHz
Min Nom Max Min Max Min Max
V
R
(V)
I
R
mA
@
Min Max
BZX84C27ET1G BC9 25.1 27 28.9 80 25 28.9 300 25.2 29.3 45 0.05 18.9 21.4 25.3 70
BZX84C30ET1G BD1 28 30 32 80 27.8 32 300 28.1 32.4 50 0.05 21 24.4 29.4 70
BZX84C33ET1G BD2 31 33 35 80 30.8 35 325 31.1 35.4 55 0.05 23.1 27.4 33.4 70
BZX84C36ET1G BD3 34 36 38 90 33.8 38 350 34.1 38.4 60 0.05 25.2 30.4 37.4 70
BZX84C39ET1G BD4 37 39 41 130 36.7 41 350 37.1 41.5 70 0.05 27.3 33.4 41.2 45
BZX84C43ET1G BK6 40 43 46 150 39.7 46 375 40.1 46.5 80 0.05 30.1 37.6 46.6 40
BZX84C47ET1G BD5 44 47 50 170 43.7 50 375 44.1 50.5 90 0.05 32.9 42 51.8 40
BZX84C51ET1G BD6 48 51 54 180 47.6 54 400 48.1 54.6 100 0.05 35.7 46.6 57.2 40
BZX84C56ET1G BD7 52 56 60 200 51.5 60 425 52.1 60.8 110 0.05 39.2 52.2 63.8 40
BZX84C62ET1G BD8 58 62 66 215 57.4 66 450 58.2 67 120 0.05 43.4 58.8 71.6 35
BZX84C68ET1G BD9 64 68 72 240 63.4 72 475 64.2 73.2 130 0.05 47.6 65.6 79.8 35
BZX84C75ET1G BE1 70 75 79 255 69.4 79 500 70.3 80.2 140 0.05 52.5 73.4 88.6 35
4. Zener voltage is measured with a pulse test current I
Z
at an ambient temperature of 25°C
*Include SZ-prefix devices where applicable.

BZX84-C56 数据手册

BZX84-C56 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
6 页 / 0.07 MByte

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