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CL21B475KAFNNNE
器件3D模型
0.017
CL21B475KAFNNNE 数据手册 (21 页)
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CL21B475KAFNNNE 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
25.0 V
绝缘电阻
10 GΩ
电容
4.7 µF
容差
±10 %
封装(公制)
2012
封装
0805
电介质特性
X7R
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
精度
±10 %
额定电压
25 V

CL21B475KAFNNNE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
X7R/-55℃~+125℃
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1.25 mm
工作温度
-55℃ ~ 125℃
厚度
1.25 mm
最小包装数量
2000

CL21B475KAFNNNE 数据手册

Samsung(三星)
21 页 / 0.35 MByte
Samsung(三星)
2 页 / 0.49 MByte
Samsung(三星)
160 页 / 4.82 MByte

CL21B475 数据手册

Samsung(三星)
CL21 系列 0805 4.7 uF 25 V X7R ±10% 容差 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
材质:X7R
Samsung(三星)
CL21 系列 0805 4.7 uF 10 V ±10% X7R 表面贴装 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
CL21 系列 0805 0.68 uF 16 V ±5 % X7R 表面贴装 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
MLCC-多层陶瓷电容器
Samsung(三星)
Samsung 0805 MLCC seriesGeneral Multilayer Ceramic Chip CapacitorsHighly reliable tolerance and high speed automatic chip placement on PCBs Wide capacitance range Wide temperature compensation and voltage range: from C0G to Y5V and from 6.3V to 50V Highly reliable performance Highly resistant termination metal Applications include: HHP, DSC, DVC, LCD, TV, Memory Module, PDA, Game Machine; Tuner (Product code C is suitable.) For using special purpose like Military, Medical, Aviation, Automobile device should be following a special specification ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。
Samsung(三星)
MLCC-多层陶瓷电容器
Samsung(三星)
Samsung(三星)
4.7uF(475) ±10% 25V 编带
Samsung(三星)
MLCC-多层陶瓷电容器
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