￥ 0.221

CSD13306W 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

DSBGA-6

描述:

CSD13306W 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD13306W 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 10 页

CSD13306W 数据手册 (12 页)

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CSD13306W 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

DSBGA-6

极性

N-CH

功耗

1.9 W

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

3.5A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

1370pF @6V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.9W (Ta)

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CSD13306W 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.5 mm

宽度

1 mm

高度

0.62 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD13306W 符合标准

CSD13306W 概述

CSD13306W 数据手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.59 MByte

CSD13306W 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

14 页 / 1.12 MByte

CSD13306W 产品修订记录

TI（德州仪器）

10 页 / 0.32 MByte

CSD13306 数据手册

CSD13306WT 数据手册

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N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments

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