CSD16321Q5

￥ 0.469

CSD16321Q5 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

8-VSON-CLIP

描述:

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD16321Q5 数据手册 (2 页)

CSD16321Q5 数据手册 (2 页)

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CSD16321Q5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

8-VSON-CLIP

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0019 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.1 W

阈值电压

1.1 V

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

100 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

3100pF @12.5V(Vds)

额定功率(Max)

3.1 W

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1W (Ta)

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CSD16321Q5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.1 mm

宽度

5.1 mm

高度

1.05 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD16321Q5 符合标准

CSD16321Q5 概述

CSD16321Q5 数据手册

CSD16321Q5 数据手册

TI（德州仪器）

2 页 / 0.19 MByte

CSD16321Q5 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

37 页 / 0.79 MByte

CSD16321Q5 开发手册

TI（德州仪器）

7 页 / 0.58 MByte

CSD16321Q5 产品修订记录

TI（德州仪器）

5 页 / 0.17 MByte

CSD16321 数据手册

CSD16321Q5 数据手册

TI（德州仪器）

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

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