￥ 0.392

IRFB5615PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON IRFB5615PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 150 V, 32 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFB5615PBF 数据手册 (7 页)

封装尺寸在7 页

IRFB5615PBF 数据手册 (7 页)

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IRFB5615PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

144 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.032 Ω

极性

N-Channel

功耗

144 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

150 V

漏源击穿电压

150 V

连续漏极电流(Ids)

150A

上升时间

23.1 ns

输入电容值(Ciss)

1750pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

144 W

下降时间

13.2 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

144W (Tc)

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IRFB5615PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

9.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFB5615PBF 符合标准

IRFB5615PBF 海关信息

IRFB5615PBF 概述

IRFB5615PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.26 MByte

IRFB5615PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFB5615PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFB5615PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.91 MByte

IRFB5615PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFB5615PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.04 MByte

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