￥ 0.869

CSD16327Q3 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PowerTDFN-8

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD16327Q3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 25 V, 0.0034 ohm, 8 V, 1.2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD16327Q3 数据手册 (10 页)

封装尺寸在6 页 8 页

CSD16327Q3 数据手册 (10 页)

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CSD16327Q3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerTDFN-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0034 Ω

极性

N-Channel

功耗

3 W

阈值电压

1.2 V

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

21A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @12.5V(Vds)

额定功率(Max)

3 W

下降时间

6.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3W (Ta)

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CSD16327Q3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.4 mm

宽度

3.4 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD16327Q3 符合标准

CSD16327Q3 概述

CSD16327Q3 数据手册

TI（德州仪器）

10 页 / 0.63 MByte

CSD16327Q3 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.41 MByte

CSD16327Q3 产品修订记录

TI（德州仪器）

5 页 / 0.17 MByte

CSD16327 数据手册

CSD16327Q3 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD16327Q3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 25 V, 0.0034 ohm, 8 V, 1.2 V

CSD16327Q3T 数据手册

TI（德州仪器）

25V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON3x3、4.8mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

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